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    碳化硅陶瓷材料的防弹原理是什么[ 02-10 08:48 ]
    在大家的印象里,陶瓷是易碎品。但经过现代科技加工后,碳化硅陶瓷“摇身一变”,成为了一种坚硬、高强度的新材料,尤其是在对材料有特殊物理性能要求的防弹领域,碳化硅陶瓷更是大放异彩,成为非常热门的防弹材料。 装甲防护的基本原理是消耗射弹能量、使射弹减速并达到无害。绝大部分传统的工程材料,如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量,而碳化硅陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。 碳化硅防弹陶瓷的吸能过程大致可分为3个阶段。(1)初始撞击阶段:弹丸撞击陶瓷表面,使弹头变钝,在陶瓷表面粉碎形成细
    不同防弹陶瓷材料性能对比[ 02-09 08:45 ]
    自21世纪以来,防弹陶瓷发展迅速,种类较多,包括氧化铝、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化钛等,其中以氧化铝陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)应用最广。氧化铝陶瓷密度最高,但硬度相对较低,加工门槛较低,价格较低,依据纯度分为85/90/95/99氧化铝陶瓷,相应的硬度和价格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相对较低,硬度较高,属于性价比较高的结构陶瓷,因此也是目前国内应用最广的防弹陶瓷。 碳化硼陶瓷在这几种陶瓷中密度最低,硬度最高,但同时其对加工工艺的要求也很高,需要高温高压烧结,因而成
    APEX微技术推出SA310碳化硅无刷直流电机驱动器[ 02-08 10:10 ]
     Q问:在没有散热器的情况下,SA310 3相SiC模块能做什么? A在空间非常宝贵的情况下,SA310可通过自己的镍钢合金外壳排出内部功耗产生的热量。下方的图来自SA310数据表,表明了在没有散热器的SA310的运行点下,供电电压、供电电流和开关频率的限制。 在供电电压、供电电流和开关频率这三个参数中,一个参数越高,其他两个参数就必须越低,才能将内部功耗保持在安全程度内(或者说,才能让SA310外壳和结温保持在数据表内的最大额定值以下)。该图直接表明,在SA310没有散热器的情况下,供电电流(差
    SiC器件IGBT模块是否有必要提高结温[ 02-06 09:51 ]
    众所周知,SiC材料具有许多重要特性:其击穿电场强度是硅材料的10倍左右,最高结温可达600℃……因此,SiC器件结构具有天生的耐高温能力,在真空条件下耐压甚至可达400至600℃。SiCMOSFET自身损耗小,发热量小,自身温升相对较小。“SiC的导热率比硅更好,(大约是硅的三倍),熔点更高(2830℃,而硅是1410℃),所以本质上SiC的耐受温度比硅高出很多。”所以,SiC更适合高温工作环境。 2010年5月,一家头部公司称其新技术显著提高了IGBT模
    铝碳化硅(AlSiC)材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]
    铝碳化硅(AlSiC)材料具有以下性能特性: 1)AlSiC具有高导热率(170~200W/mK)和可调的热膨胀系数(6.5~9.5×10-6/K),可提升器件散热性能的同时,其热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配,能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上; 2)AlSiC是复合材料,其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整,因此电子产品可按用户的具体要求而灵活地设计,这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的; 3)AlSiC的密度与铝相当,比铜
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