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- 为什么SiC在高频下的表现优于IGBT？[ 12-20 14:39 ]
- 在大功率应用中，过去主要使用IGBT和双极晶体管，目的是降低高击穿电压下出现的导通电阻。然而，这些设备提供了显着的开关损耗，导致发热问题限制了它们在高频下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基势垒二极管和MOSFET等器件，实现高电压、低导通电阻和快速运行。
- 为什么碳化硅能承受这么高的电压？[ 12-20 14:35 ]
- 功率器件，尤其是MOSFET，必须能够处理极高的电压。由于电场的介电击穿强度比硅高约十倍，SiC可以达到非常高的击穿电压，从600V到几千伏。SiC可以使用比硅更高的掺杂浓度，并且漂移层可以做得非常薄。漂移层越薄，其电阻越低。理论上，给定高电压，单位面积漂移层的电阻可以降低到硅的1/300。
- 为什么SiC在功率应用中战胜了Si？[ 12-20 14:32 ]
- 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。 尽管是电子产品中使用最广泛的半导体，但硅开始显示出一些局限性，尤其是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙很高时，它使用的电子设备可以更小、运行得更快、更可靠。它还可
- 碳化硅在电子领域有哪些应用？[ 12-20 14:28 ]
- 碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高电压，比硅可使用的电压高十倍。 基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。 碳化硅二极管和晶体管还可以在更高的频率和温度下工作，而不会影响可靠性。 SiC器件的主要应用，例如肖特基二极管和FET/MOSFET晶体管，包括转换器、逆变器、电源、电池充电器和电机控制系统。
- 博世开启碳化硅芯片大规模量产计划[ 12-18 14:59 ]
- 12月3日，博世中国官方发布消息称，经过多年的研发，博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的功率半导体，以提供给全球各大汽车生产商。未来，越来越多的量产车将搭载博世生产的碳化硅芯片。“碳化硅半导体拥有广阔的发展前景，博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅芯片生产供应商。"博世集团董事会成员HaraldKroeger表示。 博世于两年前宣布将继续推进碳化硅芯片研发并实现量产。为实现这一目标，博世自主开发了极为复杂的制造工艺流程，并于2021年初开始生产用于客户验证的样品。&ldq
