绿碳化硅微粉的特点[ 11-13 16:47 ]

 绿碳化硅微粉的原材料是很好大结晶碳化硅块，经过粉碎、颗粒整形、酸洗水分、精密分级，然后自然沉降后经高温烘干而成，绿碳化硅微粉品质稳定、无大颗粒、细粒含量少等优点。那么绿碳化硅的特点都有哪些呢？下面金蒙小编为大家介绍下。 绿碳化硅微粉的特点 1.高纯度 绿碳化硅微粉具有极高的碳化硅纯度，通常纯度在99%以上，几乎不含游离硅或其他杂质。这种高纯度使其在加工过程中更具稳定性，减少了因杂质产生的污染和损耗，非常适用于对纯度要求较高的精密加工领域。 2.高硬度和耐磨性 绿碳化硅的莫氏硬度约为

国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离[ 09-22 16:16 ]

碳化硅生产过程主要包括碳化硅单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是碳化硅产业链衬底、外延、器件三大环节。 我们把SiC器件发展分为三个发展阶段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽车开始试水搭载SiC功率器件；2022-2023年为拐点期，SiC在新能源汽车领域的应用已经达到了批量生产的临界区域，并且充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用逐步采用SIC器件；2024-2026年为爆发期，SIC加速渗透，在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等得到广泛应用。 当前，碳化硅MOS

国内碳化硅外延的难点[ 09-21 15:14 ]

当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡。在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限。此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率

国内碳化硅衬底的难点[ 09-20 16:11 ]

当前，国内厂商碳化硅衬底生产的技术指标与国际主流厂商相比仍有明显差距。碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，目前行业内公司主要量产衬底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技术研发储备上，以行业领先者WolfSpeed公司的研发进程为例，WolfSpeed公司已成功研发8英寸产品。为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低；衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。由于现有的6英寸的硅晶圆产线可以升级改造用于生产Si

碳化硅功率器件的性能优势[ 09-19 17:07 ]

碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。碳化硅器件优点如下： （1）耐高压。击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10。 （2）耐高温。半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。