金蒙新材从相关行业平台获悉：近期，美国加州大学的一个研究团队的专家们通过研究发现，二硫化钼(MoS2)半导体材料很可能会取代碳化硅和氮化镓等传统半导体材料成为制造极端温度下应用的薄膜晶体管新的候选材料。

　　众所周知，辉钼矿作为二硫化钼的矿物，是一种丰富的天然材料，通常被用作润滑油添加剂。由化学气相沉积合成的二硫化钼已被发现是一种用于生产柔性薄膜晶体管的很有前途的材料。

　　薄膜晶体管是像一个水龙头一般可以控制电子的运动和电流的设备。宽带隙有利于高温应用，由于一个单层二硫化钼的带隙比碳化硅和砷化镓的带隙要宽，这意味着一个器件可以很容易地打开和关闭，这也是晶体管运作的关键属性。

　　相比由基于诸如碳化硅、氮化镓等传统宽带半导体制得的电子器件，二硫化钼依然保留着延升到高温工作的可能性，但对于大量应用而言，目前尚未成熟。