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- 华为猛投SiC赛道有何战略意图？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，白皮书中指出，“电力电子技术和数字技术成为驱动能源产业变革的核心技术”。更高电压、更高效率、更高功率密度代表了电力电子器件技术的发展方向。在2020年之前的50年中，硅基电力电子器件技术日益成熟，产业规模不断壮大，在能源领域发挥了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基电力电子器件性能正在接近其理论极限，难以继续支撑技术和产业快速前进的要求。进入新世纪以来，尤其是从2010年至今，诸多新兴的半导体材料凭借优越的材料特性为电力电子器件技术带来了
- SiCMOSFET器件的商业化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率，因此SiC功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合。 其中SiCMOSFET是最为成熟、应用最广的SiC功率开关器件，具有高开关速度、低损耗和耐高温等优点，被认为是替代硅IGBT的最佳选择。SiCMOSFET是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，关断过程不存在拖尾电流，降低了开关损耗，进而减小散热器体积；并且其开关速度快，开关频率高，有利于减小变换器中电感
- 碳化硅功率器件相关标准立项通过[ 03-18 15:54 ]
- 据中国粉体网讯 近期，由江苏宏微科技有限公司、重庆大学联合牵头，泰克科技（中国）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京海瑞克科技发展有限公司、广州电网有限公司电力科学研究院等单位联合提交的《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，根据《CASA管理和标准制修订细则》，上述团体标准提案立项通过，分配编号为：CASA024。
- 碳化硅晶片生产流程及清洗技术[ 03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片经过清洗可以有效去除表面沾污和杂质，同时保证不引入新的杂质，从而使最终的碳化硅晶片产品满足半导体下游客户的要求。 传统的硅衬底材料使用RCA标准清洗方法来去除材料表面的污染，但是碳化硅是一种极性晶体，表面带有一定的电荷，吸附污染物后变得更加难以清洗。
- 低翘曲度碳化硅晶体切割技术难点[ 03-16 15:44 ]
- 碳化硅的莫氏硬度为9.5，硬度与金刚石接近，只能用金刚石材料进行切割，切割难度大，保证切割过程稳定获得低翘曲度的晶片是技术难点之一。 为了达到下游外延开盒即用的质量水平，需要对碳化硅衬底表面进行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并达到严苛的金属、颗粒控制要求。 化学机械抛光属于化学作用和机械作用相结合的技术，碳化硅晶片表面首先与抛光液中的氧化剂发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，在化学作用和机械作用的交替进行的过程中完成表面抛光，过程较为
