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- 在功率型碳化硅供应链中拥有知识产权的主要中国企业[ 04-25 14:38 ]
- 目前在功率型碳化硅供应链上的中国专利申请人分类情况表明，目前供应链各个环节中已存在大量拥有知识产权的中国企业。例如，在块状碳化硅领域，中国电科研究所、山东大学和中科院(上海硅酸盐研究所、物理研究所、半导体研究所)等研究机构在中国率先开展了碳化硅晶体生长的研究，并推动了国内工业企业的出现，如北京天科合达(成立于2006年)、山东天岳(成立于2010年)和河北同光晶体(成立于2012年)。 近期，一批新的初创企业从这些研究所诞生，如山西烁科晶体有限公司(中国电科)和广州南沙晶圆半导体技术有限公司(山东大学)。此外
- “国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报[ 04-21 17:12 ]
- 近期，“国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报。2021年，该公司实现营收4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，实现扭亏为盈，较上年同期增加7.31亿元。去年销售衬底约5.7万片，产能持续提升。 资料显示，天岳先进是国内宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。今年1月12日，天岳先进正式在科创板上市，成为“国内碳化硅第一股”。 天岳先进
- 碳化硅功率器件市场至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]
- 碳化硅衬底可以分为半绝缘碳化硅衬底和低阻碳化硅衬底。近年来，随着5G产业发展势头的慢慢平稳，低阻碳化硅衬底逐渐要扛起碳化硅产业未来发展的大旗。据YOLE预测，2021年全球碳化硅功率器件的市场规模约为10.9亿美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市场规模将暴增至62.97亿美金，年均复合增长率约为34%。 车规级碳化硅功率器件的研发可追溯到2008年。而丰田汽车早在2014年就推出了应用碳化硅功率器件的普锐斯和凯美瑞混动车，然而真正实现大规模应用碳化硅MOSFET器件的则是车企新贵—&mdas
- 近30年的SiC外延系统演变[ 04-19 13:44 ]
- 近30年的SiC外延系统演变 Epigress热壁式SiC外延生长系统 •单晶片2”直径 •手动装载和卸载外延片 •过程手动控制 •基于硅烷(SiH4)的工艺–不含氯 •增长率限制在10微米/小时左右 Aixtron暖壁系统 •多晶片6”直径(8”) •自动加载和卸载外延片 •配方控制过程 •基于氯硅烷的工艺
- SiC外延生长常见元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生长：常见元素 衬底： •用于电力电子的4H多型 •当前晶圆直径150mm和200mm •定向4°离轴 •双面抛光 •在晶片的硅面上生长的外延 •需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷 生长参数： •温度~1650oC •压力~50-100mbar •硅源 •碳源 •掺杂气体 •C
