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- 碳化硅宽禁带半导体目前存在的问题[ 05-14 15:50 ]
- ①大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。 目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品，单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术；p型衬底技术的研发较为滞后。 ②n型SiC外延生长技术有待进一步提高。 ③SiC功率器件的市场优势尚未完全形成，尚不能撼动目前硅功率半导体器件市场上的主体地位。 国际SiC器件领域：SiC功率器件向大容量方向发展受限制；SiC器件工艺技术水平比较低；缺乏统一的测试评价标准。 中国SiC功率器件领域存在以下3个方面差距：
- 碳化硅半导体产业链[ 05-13 16:42 ]
- 碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。 碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导
- Soitec发布8英寸SiC衬底，拓展碳化硅产品组合[ 05-12 15:30 ]
- 据中国粉体网讯 Soitec近日发布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圆。这标志着Soitec公司的碳化硅产品组合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市场不断增长的需求。 首批200mmSmartSiC™衬底诞生于Soitec与CEA-Leti合作的衬底创新中心的先进试验线，该中心位于格勒诺布尔。该批200mmSmartSiC衬底将会在关键客户中进行首轮验证，展示其质量及性能。 Soitec于2022年3月
- 中泰恒创携手中汇环球投入100亿美元开展碳化硅项目[ 05-11 16:26 ]
- 近日，中泰恒创科技有限公司与中汇环球集团有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。 据悉，中汇环球为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持，主要支持中泰恒创在开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品，以及建立创新创业产业园。 目前，中泰恒创已落地施行的半导体项目可分为三个阶段，第一阶段收益预计100亿元，第二阶段预计580亿元，到第三阶段完成，整
- 中科院物理研究所成功制备单一晶型8英寸SiC晶体[ 05-10 12:22 ]
- 近期，中科院物理研究所在宽禁带半导体领域取得重要进展，研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体。 SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达约45%。进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外
