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- 多孔重结晶碳化硅陶瓷的制备与力学性能表征[ 05-09 16:20 ]
- 多孔重结晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于纯度极高、不含晶界杂质相而具有优异的高温力学性能、热稳定性、耐腐蚀性能、高热导率以及较小的热膨胀系数，作为高温结构材料广泛用于航空航天等领域。而且由于烧结过程中不收缩，可以制备形状复杂、精度较高的部件。 目前，针对RSiC的研究和应用，一方面在于提高其致密度用于极端环境服役的高温结构材料，另一方面在于提高其气孔率用于高温过滤催化用的多孔结构/功能材料。 高温过滤催化用多孔材料，如用作柴油车尾气颗粒物过滤器(Die
- 在单晶生长方面SiC晶体制备的两个难点[ 05-08 08:34 ]
- 与传统的单晶硅使用提拉法制备不同，目前规模化生长SiC单晶主要采用物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法。这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、生长条件苛刻，需要在高温下进行。一般而言，SiC气相生长温度在2300℃以上，压力350MPa，而硅仅需1600℃左右。高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。如果温度和压力控制稍有失误，则会导致生长数天的产品失败。 2、生长速度慢。PVT法生长SiC的速度缓慢，7天才能生长2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出约2m长的8英
- 做一片八英寸SiC晶圆生产难点在哪？[ 05-07 16:27 ]
- 目前以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸，硅晶圆的生产经验是否可以助力SiC晶圆向更大面积发展，与硅晶圆相比，SiC晶圆的生产难点又在哪里？ 包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中，衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用；外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层，这些外延层是制造半导体芯片的重要原料，影响器件的基本性能；设计包括器件设计和集成电路设计，其中器件设计包括半导体器件的结构、材
- SiC单晶技术研发历史[ 05-06 16:22 ]
- Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出，但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在，其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段，时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后，随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶
- 关于取消召开2022年春季全国磨料磨具行业信息交流会的通知[ 05-05 17:07 ]
