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- onsemi捷克工厂将在未来两年内扩大碳化硅晶圆产能16倍[ 09-27 17:00 ]
- 9月21日，美国半导体供应商onsemi（安森美）宣布，其在捷克Ro?nov扩建的碳化硅工厂建成，未来两年内，该工厂的碳化硅晶圆和外延生产能力将扩大16倍。 从2019年开始，onsemi将SiC抛光晶圆和SiC外延(EPI)晶圆生产添加到其在Roznov现有的硅抛光和外延晶圆和模具制造中。去年开始重建新厂房，以进一步扩大晶圆和SiC外延制造。到目前为止，onsemi已在Roznov基地投资超过1.5亿美元，并计划追加投资3亿美元。 onsemi表示，碳化硅对于提高电动汽车(EV)、电动汽车充电和能源基
- AMB陶瓷基板市场潜力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 据了解，目前在AMB领域，比较领先的企业主要来自欧、日、韩，如德国的罗杰斯（RogersCorporation）、贺利氏科技集团，日本的同和控股（DOWA）、碍子株式会社（NGK）、电化株式会社（Denka）、京瓷株式会社（KYOCERACorporation）、东芝高新材料公司，韩国的KCC集团、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新机遇，部分国际企业已在计划对AMB基板进行扩产，如东芝高新材料公司已于去年开设大分工厂，开始生产氮化硅陶瓷基板；今年2月，罗杰斯官宣布扩大德国埃申巴赫工厂AMB基板产能。
- AMB陶瓷基板对SiC芯片的配套优势明显[ 09-24 17:52 ]
- 据了解，AMB基板铜层结合力在16N/mm~29N/mm之间，要大幅高于DBC工艺的15N/mm，更适合精密度高的陶瓷基板电路板，这一特性也使得AMB基板具备高温高频特性，导热率为DBC氧化铝的3倍以上，且使用过程中能降低SiC约10%的热阻，能提升电池效率，对SiC上车并改善新能源汽车应用有明显的提升效果。 不过，AMB工艺也还存在一些短板，其技术实现难度要比DBC、DPC两种工艺大很多，对技术要求高，且在良率、材料等方面还有待进一步完善，这使得该技术目前的实现成本还比较高，“AMB被认为是Si
- 国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离[ 09-22 16:16 ]
- 碳化硅生产过程主要包括碳化硅单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是碳化硅产业链衬底、外延、器件三大环节。 我们把SiC器件发展分为三个发展阶段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽车开始试水搭载SiC功率器件；2022-2023年为拐点期，SiC在新能源汽车领域的应用已经达到了批量生产的临界区域，并且充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用逐步采用SIC器件；2024-2026年为爆发期，SIC加速渗透，在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等得到广泛应用。 当前，碳化硅MOS
- 国内碳化硅外延的难点[ 09-21 15:14 ]
- 当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡。在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限。此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率
