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- 国内碳化硅衬底的难点[ 09-20 16:11 ]
- 当前，国内厂商碳化硅衬底生产的技术指标与国际主流厂商相比仍有明显差距。碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，目前行业内公司主要量产衬底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技术研发储备上，以行业领先者WolfSpeed公司的研发进程为例，WolfSpeed公司已成功研发8英寸产品。为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低；衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。由于现有的6英寸的硅晶圆产线可以升级改造用于生产Si
- 碳化硅功率器件的性能优势[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。碳化硅器件优点如下： （1）耐高压。击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10。 （2）耐高温。半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。
- 碳化硅衬底领域国产替代成效显著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表之一，其技术发展也至关重要。虽然国内碳化硅的技术水平与国外有所差距，但国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代，8英寸晶圆也在研制过程中，国产替代进程讲持续突破。 碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨资扩产碳化硅晶圆产能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半导体技术全球领导者Wolfspeed宣布将在北卡罗来纳州投建200mm（8吋）碳化硅晶圆项目，一期投资13亿美元，预计2024年投产；二期预计投资48亿美元，到2030年投产，投资目标是使Wolfspeed达到目前产能的十倍。 Wolfspeed首席执行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能够在500华氏度以上运行，电压大约是传统硅片可以处理的10倍，基于碳化硅的芯片已在电动汽车中找到一席之地，它们用于逆变器——该组件的作用是将电力从汽车电池传输到使车轮转动的电机。L
- 碳化硅器件工艺难点在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。 其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。 硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。 外延炉主要是国外
