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- 什么是SiCf/SiC复合材料[ 08-30 16:24 ]
- SiCf/SiC陶瓷基复合材料是指在SiC陶瓷基体中引入SiC纤维作为增强材料，形成以引入的SiC增强纤维为分散相，以SiC陶瓷基体为连续相的复合材料。SiCf/SiC陶瓷基复合材料保留了SiC陶瓷耐高温、高强度、抗氧化、耐腐蚀、耐冲击的优点，同时兼具SiC纤维增强增韧作用，克服了SiC陶瓷断裂韧性低和抗外部冲击载荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC复合材料作为一种综合性能优异的高温热结构材料，在航空、航天、核能、汽车等领域具有广泛的应用前景，成为目前各个西方国家的研究热点。
- C/SiC陶瓷基复合材料应用[ 08-29 17:21 ]
- 碳纤维不仅具有密度低、比强度高、耐磨、耐腐蚀、导电、导热、摩擦系数低等特性，而且还具备十分优异的高温力学性能，其在惰性气氛、2000℃以上环境中，力学性能仍然不下降。但其高温抗氧化性较差，因此通常与金属、陶瓷、树脂等复合，制备应用于航空航天、军事工业等尖端技术领域的先进复合材料。 在热结构陶瓷基复合材料领域中，碳化硅以其优异的高温力学性能（强度、抗氧化性、抗蠕变性等）、低的热膨胀系数和摩擦系数、优良的导热和导电性，成为基体材料的主要候选之一。然而SiC陶瓷的缺点是脆性较大。 C/SiC陶瓷基复合材料通过
- 牛津仪器推出新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）解决方案[ 08-27 16:47 ]
- 据粉体圈整理消息：8月22日，牛津仪器（OxfordInstrumentsplc）旗下等离子技术公司（PlasmaTechnology）推出一种新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）的替代解决方案——等离子抛光干法蚀刻（PPDE），它不仅更清洁、环保、低成本，并且更稳定。 CMP多年来一直是SiC衬底制备的最好选择，但它存在不良率的顽疾，这在当前满足SiC需求增长十分不利。首先，CMP浆料存在一定毒性，晶圆厂的CMP流程会对环境造成很大影响，并且大量消耗水资源；其次，CMP所须的抛光
- 晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体[ 08-26 17:05 ]
- 8月12日消息，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，标志着晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，同时这也是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。 据了解，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。 在技术上，晶盛成功解决了8英寸晶体生长过程中多个难点问题，比如温场不均、晶体开裂、气相原料分布等等。 此外，还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛
- 哈尔滨科友半导体6英寸碳化硅衬底正式投产[ 08-25 11:37 ]
- 据粉体圈消息：8月18日，位于哈尔滨新区，投资10亿元建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投产，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。 据悉，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（科友半导体）成立于2018年，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化的国家级高新技术企业。去年7月，科友半导体产学研聚集区项目正式开工建设。主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际
