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- 集成电路制造装备用精密陶瓷结构件的特点[ 08-18 16:52 ]
- 集成电路制造关键技术及装备主要有包括光刻技术及光刻装备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求。 以光刻机中工件台为例，该工件台主要负责完成曝光运动，要求实现高速、大行程、六自由度的纳米级超精密运动，如对于100nm分辨率、套刻精度为33nm和线宽为10nm的光刻机，其工件台定位精度要求达到10nm，掩模硅片同时步进和扫描速度分别达到150nm/s和120nm/s，掩模扫描速度
- 集成电路制造装备用精密陶瓷结构件制备难点[ 08-17 14:46 ]
- 在IC产业中，集成电路制造装备具有极其重要的战略地位，以光刻机为代表的集成电路关键装备是现代技术高度集成的产物，其设计和制造过程均能体现出包括材料科学与工程、机械加工等在内的诸多相关科学领域的最高水平。集成电路制造关键装备要求零部件材料具有轻质高强、高导热系数和低热膨胀系数等特点，且致密均匀无缺陷，还要求零部件具有极高的尺寸精度和尺寸稳定性，以保证设备实现超精密运动和控制，因此对材料性能以及制造水平要求非常苛刻。 碳化硅陶瓷具有高的弹性模量和比刚度，不易变形，并且具有较高的导热系数和低的热膨胀系数，热稳定性高
- 固相烧结碳化娃(SSiC)优缺点[ 08-16 14:41 ]
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- 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光？[ 08-15 17:33 ]
- SiC晶型结构特点使得SiC材料具有较高硬度与化学稳定性，导致在抛光过程中材料去除率较低，因此探索基于化学机械抛光基本工艺的辅助增效手段，对于实现SiC材料产业化应用和推广具有重要的意义。 化学机械抛光辅助增效技术材料去除机理本质是通过辅助增效技术手段来控制SiC表面较软氧化层的形成并从力学上改善SiC氧化层材料的去除方式。目前抛光中的辅助增效手段主要有等离子辅助、催化剂辅助、紫外光辅助和电场辅助。 01等离子辅助工艺 等离子辅助抛光(PlasmaAssistedPolishing，PAP)工艺是
- SiC晶圆材料主要加工工艺[ 08-13 15:29 ]
- 碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，广泛应用于半导体、光学镜面、机械密封等现代工业领域，许多领域往往对其表面加工质量有较高的要求，SiC的表面平坦化质量直接影响制件性能，决定了制件的成品率。随着SiC的应用和发展逐步广泛和深入，其加工精度要求日益增长。但SiC属于典型的脆硬性材料，其平坦化加工时在力的作用下易产生微裂纹，亚表层缺陷多，使得该材料面临加工效率低、加工困难及加工成本居高不下等问题，制约了其大规模应用和推广。 目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序
