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    日本IDM大厂罗姆SiC功率半导体计划将产能增加6倍[ 06-20 17:27 ]
    据粉体圈整理消息:近期,日本IDM大厂罗姆(Rohm)计划2025年前,要将碳化硅(SiC)功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上。为此,罗姆最大将投资1700亿日元使碳化硅功率半导体的产能在2025年时增加至2021年时的6倍。 罗姆6月8日在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示,要以新厂房为起点,目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是日本半导体制造商首度在日本国内建设碳化硅功率半导体的专用厂房。 据《日本经济新闻》报道,目前罗姆在全球整体功率半导体市场市
    蓝海华腾、广汽资本投资基本半导体 抢滩布局碳化硅百亿市场[ 06-19 16:22 ]
    6月7日,蓝海华腾、广汽资本、润峡招赢等机构完成了对国内第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件企业——基本半导体的C2轮融资。本次投资意味着蓝海华腾加紧开拓布局第三代半导体碳化硅器件领域,通过助力基本半导体在碳化硅功率器件上的研发进度以及制造基地的建设,共同加强双方在新能源汽车市场的拓展。 公开资料显示,蓝海华腾于2016年在深交所创业板上市,是一家拥有完全自主知识产权,专业致力于新能源汽车驱动和工业自动化控制产品的研发、生产、销售以及整体方案解决的国家高新技术企业。 蓝海华腾本次
    德智新材投资2.5亿半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设[ 06-17 17:19 ]
    近日,在新马工业园内,湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设,并预计在明年初投产,一项“卡脖子”的高精尖技术,即将在株洲顺利实现产业化。 SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材,在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高,因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体,随后经精密加工而制得,主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来,围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节,但因其技术壁垒高,长期被美
    碳化硅陶瓷换热器设计时要注意的问题[ 06-16 16:15 ]
    碳化硅具有很高的导热系数,同时其化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好,并具有优异的抗热震性。所以,碳化硅质材料是陶瓷换热器的首选材料。碳化硅在水蒸气、含氧气氛中存在高温氧化问题。含氧气氛中,碳化硅在800℃以上开始被氧化,可形成一层SiO2保护膜,在温度高于1200℃时该保护膜即软化被冲蚀破坏,换热元件寿命迅速缩短。这也是一般碳化硅换热元件最高用到1200℃的原因。碳化硅与蒸汽自1000℃开始强烈反应,腐蚀生成的SiO2与水蒸气发生挥发反应,生成气态的Si(OH)4,不能形成保护膜。 因此在碳化硅换热器设计
    陶瓷换热器对碳化硅材料的要求[ 06-15 17:14 ]
    一般而言,无机非金属陶瓷换热器对碳化硅材料的要求可总结为六点,分别是: (1)抗热震性能要好; (2)使用寿命要长,符合经济原则; (3)耐高温性能强,使用温度必须要>1280℃; (4)蓄热率以及导热系数要高; (5)机械强度理想,即便是在高温环境之后,依旧能够保持常态; (6)耐化学腐蚀强,工业炉废烟当中含有大量的SO2、CO2等腐蚀性强的化学物质,用于制作陶瓷换热器的无机非金属材料要求不能与其发生粉尘固熔反应。
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