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- 碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圆的生产，是先要制备碳化硅衬底，目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法，其中以改进Lely法为主流。 Lely法，又称升华法，其基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔石墨环），将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500℃，碳化硅在此温度下分解与升华，产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度，这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。但Lely法产率低，晶核难以控制，而且会形成不同结构，尺寸也
- 碳化硅陶瓷在新能源领域的潜力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是从20世纪60年代开始发展起来的一种先进陶瓷材料，由于具备化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、密度小、耐磨性能好、硬度大、机械强度高、耐化学腐蚀等特性，在精细化工、半导体、冶金、国防军工等领域都有着广泛的应用。 值得关注的是，在近年发展得如火如荼的锂电池领域中，碳化硅陶瓷在其原料的制备环节上也同样发挥着重要作用，如： ①磷酸铁锂正极材料的超细研磨 磷酸铁锂是目前广泛使用的锂电池正极材料之一。由于纳米粒子可减小锂离子嵌入脱出深度和行程，保证大电流放电时容量不衰减，因此“超
- 碳化硅功率器件的多功能集成封装技术和散热技术介绍[ 09-03 16:45 ]
- 碳化硅器件的出现推动了电力电子朝着小型化的方向发展，其中集成化的趋势也日渐明显。瓷片电容的集成较为常见，通过将瓷片电容尽可能靠近功率芯片可有效减小功率回路寄生电感参数，减小开关过程中的震荡、过冲现象。但目前瓷片电容不耐高温，所以并不适宜于碳化硅的高温工作情况。 驱动集成技术也逐渐引起了人们的重视，三菱、英飞凌等公司均提出了SiC智能功率模块(IPM)，将驱动芯片以及相关保护电路集成到模块内部，并用于家电等设备当中。此外，还有EMI滤波器集成，温度、电流传感器集成、微通道散热集成等均有运用到碳化硅封装设计当中。
- 碳化硅功率器件的高温封装技术介绍[ 09-02 17:02 ]
- 在进行芯片正面连接时可用铜线替代铝线，消除键合线与DBC铜层之间的热膨胀系数差异，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。 锡片或锡膏常用于芯片和DBC板的连接，焊接技术非常成熟而且简单，通过调整焊锡成分比例，改进锡膏印刷技术，真空焊接减小空洞率，添加还原气体等可实现极高质量的焊接工艺。但焊锡热导率较低，且会随温度变化，并不适宜SiC器件在高温下工作。此外，焊锡层的可靠性问题也是模块失效的一大原因。 烧结银连接
- 碳化硅功率器件的低杂散电感封装技术介绍[ 09-01 16:56 ]
- 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用传统Si器件的封装方式。传统封装技术成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但传统封装结构导致其杂散电感参数较大，在碳化硅器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题。 而杂散电感的大小与开关换流回路的面积相关。其中，金属键合连接方式、元件引脚和多个芯片的平面布局是造成传统封装换流回路面积较大的关键影响因素。消除金属键合线可以有效减小杂散电感值，将其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封装结构分别进行介绍。 ①单管翻转贴片封装 阿肯
